Genel Bilgiler:

• Ürün Tipi: N-Channel MOSFET
• Model Numarası: IXGN200N60B
• Paket/Kılıf: TO-264
• Teknoloji: MOSFET
• Kullanım Alanı: Güç yönetimi, motor sürücüleri, endüstriyel kontrol sistemleri

Elektriksel Özellikler:

• Drain-Source Voltajı (Vds): 600V
• Drain Akımı (Id) (25°C'de): 200A
• RDS(on) (Maksimum): 0.036Ω (typ.) @ Vgs = 10V
• Gate Threshold Voltajı (Vgs(th)): 3V - 5V
• Gate-Source Voltajı (Vgs) Maksimum: ±20V
• Drain-Source Sızıntı Akımı (Idss): 1µA @ Vds = 600V
• Total Gate Charge (Qg): 600nC @ Vgs = 10V
• Gate-Drain Charge (Qgd): 200nC @ Vgs = 10V

Termal ve Mekanik Özellikler:

• Çalışma Sıcaklığı Aralığı (Tj): -55°C ile +150°C
• Depolama Sıcaklığı Aralığı: -55°C ile +150°C
• Termal Direnç, Junction to Case (RθJC): 0.25°C/W
• Maksimum Güç Dağılımı (Pd): 500W

Diğer Özellikler:

• Kapı Kapasitansı (Ciss): 25,000pF @ Vds = 25V, Vgs = 0V
• Geçiş Süresi:
  • Turn-On Delay Time (td(on)): 110ns
  • Rise Time (tr): 250ns
  • Turn-Off Delay Time (td(off)): 750ns
  • Fall Time (tf): 500ns
• Paralel Bağlanabilirlik: Evet, yüksek güç uygulamalarında paralel kullanım imkanı
• Öne Çıkan Özellikler: Yüksek akım kapasitesi, düşük iletim kayıpları, hızlı anahtarlama

Uygulama Alanları:

• Güç kaynağı ve dağıtımı
• Endüstriyel motor sürücüleri
• Fotovoltaik inverterler
• UPS sistemleri
• DC-DC dönüştürücüler
• Elektrikli araçlar ve şarj sistemleri